高純鉻靶的目標(biāo)晶粒尺寸和分布：通常，靶材材料具有多晶結(jié)構(gòu)，并且晶粒尺寸可以在微米到毫米的數(shù)量級(jí)上。對(duì)于相同組成的靶材，細(xì)粒靶材的濺射速率比粗粒高純度鉻靶材的濺射速率快，而晶粒尺寸較小的靶材具有更均勻的沉積膜厚度分布。

通過(guò)真空熔融法制造的靶材可以確保塊中沒(méi)有孔，但是通過(guò)粉末冶金法制造的高純鉻靶可能包含一定數(shù)量的孔。 孔的存在會(huì)在濺射過(guò)程中引起異常放電，從而導(dǎo)致雜質(zhì)顆粒。 另外，由于其密度低，帶孔的目標(biāo)在操作，運(yùn)輸，安裝和操作過(guò)程中很容易破碎。

鉻靶廠家告訴你，鉻靶靶材的加工工藝：用于集成電路制造的濺射靶材的加工技術(shù)主要包括熔煉，均質(zhì)化，壓力加工和機(jī)械加工。 在嚴(yán)格控制靶材純度的基礎(chǔ)上，鉻靶材，鈮靶材和鈦鋁靶材可以通過(guò)優(yōu)化壓力處理工藝，熱處理?xiàng)l件和機(jī)械加工條件來(lái)調(diào)節(jié)靶材的晶粒取向和晶粒尺寸。

高純鉻靶的靶材雜質(zhì)控制：如果靶材中的夾雜物過(guò)多，則在濺射過(guò)程中晶圓上可能會(huì)形成顆粒，導(dǎo)致互連短路或斷開(kāi)，嚴(yán)重影響性能。 高純鉻靶中的大多數(shù)夾雜物是在冶煉和鑄造過(guò)程中形成的，主要由氧化物組成，但也包括氮化物，碳化物，氫化物，硫化物，硅化物等，因此應(yīng)在鑄造過(guò)程中使用 。高純鉻靶鑄造前，應(yīng)將熔體表面的氧化物和其他爐渣清除。 通常，它們?cè)谡婵栈驘o(wú)氧環(huán)境中熔融并澆鑄。 市場(chǎng)上鉻靶價(jià)格也有所不同。

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